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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请提供了一种欧姆接触结构及其制备方法以及制得的碳化硅器件。该欧姆接触结构的制备方法包括：提供碳化硅衬底，碳化硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上具有半导体器件；在碳化硅衬底的第二表面上形成金属层；采用第一沉积工艺在金属层背离碳化硅衬底的一侧形成吸收层，第一沉积工艺具有第一温度；采用第二沉积工艺在吸收层背离金属层的一侧形成阻挡层，第二沉积工艺具有第二温度，第一温度小于第二温度；由于第一温度小于第二温度，使得吸收层的致密性小于阻挡层的致密性，吸收层会将碳化硅衬底在退火时析出的碳进行吸收，若吸收层已经饱和不再吸收碳，阻挡层的致密性高也会将析出的碳进行阻挡，进而提高欧姆接触结构的性能。
主权项：1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上具有半导体器件；在所述碳化硅衬底的第二表面上形成金属层；采用第一沉积工艺在所述金属层背离所述碳化硅衬底的一侧形成吸收层，所述第一沉积工艺具有第一温度；采用第二沉积工艺在所述吸收层背离所述金属层的一侧形成阻挡层，所述第二沉积工艺具有第二温度，所述第一温度小于所述第二温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 欧姆接触结构及其制备方法以及制得的碳化硅器件
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