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申请/专利权人：聚灿光电科技股份有限公司

摘要：本发明涉及一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法，旨在通过创新结构设计和精密制造过程显著提升红光MicroLED的光效。本发明通过在P侧与量子阱发光区间引入AlInPAlGaInP复合限制层以及P型与N型材料交替生长的超晶格结构，有效限制电子外溢，提高载流子复合效率。该外延片结构包括GaAs基底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N‑GaAs欧姆接触层等关键层次。制备方法利用金属有机物气相沉积法，精确控制各层的生长条件。本发明的高光效红光MicroLED外延片适用于高性能显示和照明领域，具有重要的实践价值和广阔的市场前景。

主权项：1.一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片，其特征在于，包括：一个GaAs基底600；在所述GaAs基底600上生长的一层GaAs缓冲层601；在所述GaAs缓冲层601上生长的GaInP腐蚀停止层200，采用N型掺杂；在所述GaInP腐蚀停止层200上生长的N-GaAs欧姆接触层201；在所述N-GaAs欧姆接触层201上生长的N-AlzGa1-zInP扩展层202；在所述N-AlzGa1-zInP扩展层202上生长的N-AlInP限制层203；在所述N-AlInP限制层203上生长的N-AlmGa1-mInP波导层204；在所述N-AlmGa1-mInP波导层204上生长的多量子阱层205；在所述多量子阱层205上生长的P-AlnGa1-nInP波导层206；在所述P-AlnGa1-nInP波导层206上生长的P-AlaGa1-abIn1-bP电子阻挡层207；在所述P-AlaGa1-abIn1-bP电子阻挡层207上生长的AlInPAlGaInP复合限制层208；所述AlInPAlGaInP复合限制层208为多个周期性排布的超晶格单元，超晶格单元包含第一子层和第二子层，每个子层包含AlInP和AlGaInP复合层，AlInP中Al占Al和In总量的原子百分比比AlGaInP中的Al占Al、Ga和In总量的原子百分比高；第一子层通入P型掺杂源，掺杂浓度控制在1-1.2E18；第二子层通入N型掺杂源，掺杂浓度控制在1.2-1.5E18；每个子层的总厚度为共生长5-10组超晶格单元；在所述AlInPAlGaInP复合限制层208上生长的P-AlxGa1-xyIn1-yP过渡层209；在所述P-AlxGa1-xyIn1-yP过渡层209上生长的P-GaP扩展层及欧姆接触层210。

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