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申请/专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司

摘要：本发明提供一种MICROLED结构及其制作方法，包括如下步骤：1提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2于芯片区域内的半导体发光材料层内形成环形沟槽；3于环形沟槽的底部及侧壁形成电隔离层；4于发光区域内的半导体发光材料层的表面形成欧姆接触层；5于芯片区域内的欧姆接触层的表面及电隔离层的表面形成反射镜层；6于半导体发光材料层的表面形成金属键合层；7提供键合基板，将步骤6所得结构键合于键合基板的表面，并去除生长基板；8去除部分半导体发光材料层；9于半导体发光材料层的表面形成电极10于半导体发光材料层的表面形成量电子点。本发明可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。

主权项：1.一种MICROLED结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1提供生长基板，所述生长基板包括芯片区域；于所述生长基板表面形成半导体发光材料层；所述半导体发光材料层受外部激发发射紫光；2于所述芯片区域内的所述半导体发光材料层远离所述生长基板的表面形成环形沟槽，所述环形沟槽将所述芯片区域分割为发光区域及孤岛区域；其中，所述发光区域位于所述环形沟槽内侧，所述孤岛区域位于所述环形沟槽外围；3于所述环形沟槽的底部及侧壁形成电隔离层；4于所述发光区域内的所述半导体发光材料层远离所述生长基板的表面形成欧姆接触层；5于所述芯片区域内的所述欧姆接触层远离所述半导体发光材料层的表面及所述电隔离层远离所述半导体发光材料层的表面形成反射镜层，所述反射镜层覆盖所述欧姆接触层及所述电隔离层；6于所述半导体发光材料层远离所述生长基板的表面形成金属键合层，所述金属键合层覆盖所述反射镜层；7提供键合基板，将步骤6所得结构经由所述金属键合层键合于所述键合基板的表面，并去除所述生长基板；8去除部分所述半导体发光材料层，使得保留于所述发光区域内的所述半导体发光材料层的厚度不大于所述电隔离层的高度；9于保留于所述发光区域内的所述半导体发光材料层远离所述反射镜层的表面形成电极；及10于所述半导体发光材料层形成有所述电极的表面形成量子点；其中，步骤1中，所述芯片区域的最大横向尺寸小于100微米；步骤2中，所述环形沟槽为倒梯形沟槽，所述环形沟槽侧壁的倾斜角度小于等于45°，所述环形沟槽的深度大于2微米，所述环形沟槽底部的宽度大于1微米；步骤3中，所述电隔离层覆盖所述环形沟槽的底部及侧壁，所述电隔离层的材料层包括氮化硅、二氧化硅及氧化钛中的至少一种；所述电隔离层的厚度为2000埃～3μm；步骤4中，所述欧姆接触层包括透明导电层或镍金导电层，所述欧姆接触层的厚度为200埃～1000埃；步骤6中，所述金属键合层包括金键合层、锡键合层、镍键合层、金锡合金键合层或镍锡合金键合层。

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