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申请/专利权人：无锡昌德微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种平面结构型超高压二极管芯片，涉及二极管芯片技术领域，包括芯片本体，所述芯片本体的顶端开设有两个散热口，所述散热口的底部设有空腔，所述散热口的内部设有封片，所述封片的底端固定连接有顶杆，所述顶杆的底部设有记忆金属片，所述芯片本体的外部设有膜套，所述膜套的两侧壁均固定连接有胶片，所述芯片本体的顶面和侧壁以及底面均嵌设有电导性橡胶条，所述芯片本体两侧壁的中部均安装有接地引脚。本发明通过设置有一系列的结构，能够对二极管芯片进行静电防护，降低二极管芯片在安装时因受静电击坏而无法正常使用的概率，同时减少滞留在二极管芯片内部的热量，更利于二极管芯片内部热量的散出。
主权项：1.一种平面结构型超高压二极管芯片，包括芯片本体1，其特征在于：所述芯片本体1的顶端开设有两个散热口2，所述散热口2的底部设有空腔12，所述散热口2的内部设有封片3，所述封片3的底端固定连接有顶杆11，所述顶杆11的底部设有记忆金属片13，所述芯片本体1的外部设有膜套4，所述膜套4的两侧壁均固定连接有胶片9，所述芯片本体1的顶面和侧壁以及底面均嵌设有电导性橡胶条8，所述芯片本体1两侧壁的中部均安装有接地引脚6，所述芯片本体1的两侧壁均电性连接有引线7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡昌德微电子股份有限公司 一种平面结构型超高压二极管芯片
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