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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请公开了一种MIM电容的制作方法，包括：在层间介质层上覆盖光阻，依次通过曝光和显影暴露出目标区域；通过CDE工艺进行刻蚀，在目标区域的层间介质层中形成沟槽，沟槽底部的内角为圆弧型，沟槽的开口的宽度大于目标区域的宽度；去除光阻；依次形成第一电极层、电容介质层、第二电极层和顶部金属层；进行平坦化处理，去除沟槽外的第一电极层、电容介质层、第二电极层和顶部金属层，沟槽内的第一电极层、电容介质层和第二电极层构成MIM电容，沟槽内的顶部金属层构成顶部金属连线。本申请先通过CDE工艺刻蚀形成底部的内角为圆弧型的沟槽，然后在该沟槽中形成MIM电容和与MIM电容的上电极接触的顶部金属连线，提高了器件的可靠性和良率。
主权项：1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括：在层间介质层上覆盖光阻，依次通过曝光和显影暴露出目标区域；通过CDE工艺进行刻蚀，在所述目标区域的层间介质层中形成沟槽，所述沟槽底部的内角为圆弧型，所述沟槽的开口的宽度大于所述目标区域的宽度；去除光阻；依次形成第一电极层、电容介质层、第二电极层和顶部金属层；进行平坦化处理，去除所述沟槽外的第一电极层、电容介质层、第二电极层和顶部金属层，所述沟槽内的第一电极层、电容介质层和第二电极层构成MIM电容，所述沟槽内的顶部金属层构成顶部金属连线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 MIM电容的制作方法
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