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申请/专利权人：浙江大学;浙江大学金华研究院
摘要：本发明公开了一种非易失掺杂AlNIGZO铁电场效应晶体管及其制备和使用方法。铁电场效应晶体管中，铁电层为AlScN，但不限于通过元素如硼、碳、钇等掺杂诱导AlN呈现铁电性的体系；IGZO作为沟道层。铁电场效应晶体管中的栅极对掺杂AlN铁电薄膜的极化方向进行翻转，极化场和外加电场共同实现对沟道载流子的控制，从而使原本易失性的IGZO晶体管呈现可调节的存储窗口和稳定的非易失性。
主权项：1.一种非易失掺杂AlNIGZO铁电场效应晶体管，其特征在于，掺杂AlN作为铁电层，IGZO作为沟道层。
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百度查询： 浙江大学 浙江大学金华研究院 非易失掺杂AlN/IGZO铁电场效应晶体管及其制备和使用方法
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