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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：本发明涉及了一种低温制备高致密度氮化硼陶瓷材料的方法。以微米片状六方氮化硼粉体为原料，添加少量硼酸水溶液，通过室温压制成型和低温无压烧结，促进片状氮化硼粉末的晶粒结构重排和低温烧结致密化，获得高致密度氮化硼陶瓷密度≥1.90gcm3。本发明的方法具有工艺简单、成本低等特点，可用于大尺寸高致密度氮化硼陶瓷的制备，所制备的氮化硼陶瓷具有纯度高、致密度高的特点。
主权项：1.一种在低温下以微米片状氮化硼粉末为原料制备高致密度氮化硼陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：采用微米片层六方氮化硼粉末，添加少量硼酸水溶液，充分混合均匀后，将混合粉末加入模具中在室温下压制成型，最后将氮化硼陶瓷胚体放入马弗炉中在空气气氛下低温无压烧结，得到高致密度氮化硼陶瓷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 一种低温制备高致密度氮化硼陶瓷的方法
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