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申请/专利权人：中电海康集团有限公司
摘要：本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储器制备方法，方法包括：提供叠层结构，包括依次叠层设置底电极层、参考层、势垒层、自由层、自旋轨道矩提供层以及第一硬掩膜层；对第一硬掩膜层、自旋轨道矩提供层、自由层、势垒层和参考层进行图形化，形成第一中间结构；在第一中间结构上形成保护层和介质层，形成第二中间结构；对第二中间结构进行平坦化，直至第一硬掩膜层暴露，形成第三中间结构；在第三中间结构上形成导电层和第二硬掩膜层并进行图形化，去除导电层和第二硬掩膜层对应第一硬掩膜层部分区域，形成第四中间结构；其中，导电层与第一硬掩膜层电接触；形成顶电极，完成自旋轨道矩磁性存储器制备。本发明能够避免自旋轨道矩提供层过刻蚀。
主权项：1.一种自旋轨道矩磁性存储器制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供叠层结构，所述叠层结构包括由下向上依次叠层设置的底电极层、参考层、势垒层、自由层、自旋轨道矩提供层以及第一硬掩膜层；对所述第一硬掩膜层进行图形化，并依据所述金属硬掩膜层对所述自旋轨道矩提供层、自由层、势垒层和参考层进行图形化，形成第一中间结构；在所述第一中间结构上依次形成保护层和介质层，形成第二中间结构；对所述第二中间结构进行平坦化，直至所述第一硬掩膜层暴露，形成第三中间结构；在所述第三中间结构上形成导电层和第二硬掩膜层，并对所述第二硬掩膜层和所述导电层进行图形化，去除所述导电层和第二硬掩膜层对应所述第一硬掩膜层的部分区域，形成第四中间结构；其中，完成图形化的导电层与所述第一硬掩膜层电接触；在所述第四中间结构上形成填充介质并进行平坦化之后，形成顶电极，以完成自旋轨道矩磁性存储器的制备。
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权利要求：
百度查询： 中电海康集团有限公司 自旋轨道矩磁性存储器及制备方法
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