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一种无卤素参与的高纯三甲基硅烷的合成方法 

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申请/专利权人:中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司

摘要:本发明公开了一种无卤素参与的高纯三甲基硅烷的合成方法,在镍负载的介孔分子筛NiHZSM‑5催化条件下,氢气高温还原三甲基硅氧烷制备三甲基硅烷,经常规精馏后,铜负载活性炭吸附即可得到高纯三甲基硅烷。氢气与三甲基乙氧基硅烷投料摩尔比为2~6:1,反应压力为3~10MPa,反应温度为150~300℃,停留时间为20~70s。本发明无任何卤素类副产物的生成,无固体废弃物的产生,有助于减少工艺在三废处理方面的物质能耗投入,大幅降低三甲基硅烷的生产成本。

主权项:1.一种无卤素参与的高纯三甲基硅烷的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、三甲基硅烷的合成向装有H型沸石负载的镍催化剂NiHZSM-5的反应器中段滴入三甲基硅氧烷,通入氢气和氮气,反应压力为3~10MPa,反应温度为150~300℃,停留时间为20~70s,获得含三甲基硅烷的反应气;S2、三甲基硅烷的精制将含三甲基硅烷的反应气依次通过回收罐、脱轻塔和脱重塔后,在氮气的稀释下,通入装有CuO负载的活性炭吸附剂中,吸附温度20~60℃,停留时间20~40s,得到纯度为99.99%的三甲基硅烷气体。

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权利要求:

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