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申请/专利权人：硅存储技术股份有限公司

摘要：本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括：半导体衬底，该半导体衬底具有间隔开的源极区和漏极区，其中衬底的沟道区在该源极区与该漏极区之间延伸；多晶硅的浮栅，该浮栅设置在沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与该第一部分绝缘，其中该浮栅具有终止于锐利边缘的倾斜上表面；多晶硅的字线栅，该字线栅设置在沟道区的第二部分上方并且通过具有第二厚度的绝缘材料与该第二部分绝缘；以及多晶硅的擦除栅，该擦除栅设置在源极区上方并且通过具有第三厚度的绝缘材料与该源极区绝缘，其中该擦除栅包括包绕在浮栅的锐利边缘周围并与该锐利边缘绝缘的凹口。该第三厚度大于该第一厚度，并且该第一厚度大于该第二厚度。

主权项：1.一种形成存储器设备的方法，包括：在半导体衬底上形成具有第一厚度的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成间隔开的第一绝缘间隔物和第二绝缘间隔物；移除所述第一多晶硅层的部分，使得所述第一多晶硅层的第一块保持在所述第一绝缘间隔物下方，并且所述第一多晶硅层的第二块保持在所述第二绝缘间隔物下方，其中所述第一多晶硅层的所述第一块和所述第二块中的每一者包括相对的第一侧表面和第二侧表面，各第一侧表面彼此面对并且各第二侧表面彼此背离，并且所述第一多晶硅层的所述第一块和所述第二块中的每一者具有终止于锐利边缘的倾斜上表面；在所述第一多晶硅层的所述第一块和所述第二块的第二侧表面上形成氧化间隔物；加厚所述氧化间隔物；在所述衬底中形成源极区，所述源极区被设置在位于所述第一多晶硅层的所述第一块和所述第二块之间的间隙下方；在所述第一多晶硅层的所述第一块和所述第二块的所述锐利边缘和所述第一侧表面上形成隧道氧化物层；在所述半导体衬底上在所述源极区上方形成具有第二厚度的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层的形成包括加厚所述隧道氧化物层；直接在所述半导体衬底的各部分上形成具有第三厚度的第三绝缘层，所述第三绝缘层与所述第一多晶硅层的所述第一块和所述第二块的所述第二侧表面相邻；在所述衬底以及所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物上方形成第二多晶硅层；使用化学机械抛光移除所述第二多晶硅层的部分，所述化学机械抛光也移除绝缘间隔物的顶部部分，使得所述第二多晶硅层的第一块保持被设置在所述第二绝缘层上以及所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物之间，并且所述第二多晶硅层的第二块和第三块保持被设置在所述第三绝缘层上，使得所述第二多晶硅层的所述第二块和所述第三块仅通过所述第三绝缘层来与所述半导体衬底绝缘，其中所述第一绝缘间隔物被设置在所述第二多晶硅层的所述第一块和所述第二块之间，并且其中所述第二绝缘间隔物被设置在所述第二多晶硅层的所述第一块和所述第三块之间；在与所述第二多晶硅层的所述第二块相邻的所述衬底中形成第一漏极区；以及在与所述第二多晶硅层的所述第三块相邻的所述衬底中形成第二漏极区；其中所述第二多晶硅层的所述第一块包括第一凹口和第二凹口，所述第一凹口包绕在所述第一多晶硅层的所述第一块的所述锐利边缘周围并与所述锐利边缘绝缘，所述第二凹口包绕在所述第一多晶硅层的所述第二块的所述锐利边缘周围并与所述锐利边缘绝缘；其中所述第二厚度大于所述第一厚度，并且其中所述第一厚度大于所述第三厚度。

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百度查询： 硅存储技术股份有限公司 具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法