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申请/专利权人：北京科技大学
摘要：一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜和磁传感领域。薄膜材料为（111）或（110）单晶MgO基底上生长的MgONiFeMgOTa多层膜结构，利用单晶MgO基底控制NiFe的原子间距和原子排列方式，促进O原子进入NiFe晶格并通过超交换相互作用调节NiFe的晶体场，进而优化NiFe的自旋态，最终获得超高各向异性磁电阻的NiFe薄膜。在经过氧气环境退火和超声清洗处理的单晶MgO基片上，沉积氧化镁MgO坡莫合金NiFe氧化镁MgO钽Ta多层膜结构，获得具有超高各向异性磁电阻的薄膜。本发明通过控制材料的晶体场优化NiFe的自旋态，提高各向异性磁电阻，制备的NiFe薄膜具有超高的各向异性磁电阻比率，同时具有很小的磁滞现象，能够满足超高灵敏度的各向异性磁电阻效应磁传感器的需求。
主权项：1.一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜，其特征在于，所述的超高各向异性磁电阻薄膜为（111）或（110）单晶MgO基底上生长的MgONiFeMgOTa多层膜结构，利用单晶MgO基底控制NiFe的原子间距和原子排列方式，促进O原子进入NiFe晶格并通过超交换相互作用调节NiFe的晶体场，进而优化NiFe的自旋态，最终获得超高各向异性磁电阻的NiFe薄膜；所述超高各向异性磁电阻薄膜MgONiFeMgOTa结构中各层对应的厚度依次为20～50Å100～400Å20～50Å30～50Å；MgO单晶基底的取向为（111）或（110）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京科技大学 一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法
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