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申请/专利权人：连科半导体有限公司
摘要：本发明属于碳化硅单晶生长技术领域，具体的说是一种PVT法磁场控制气流导向的碳化硅单晶生长装置，包括壳体，所述壳体的一侧转动设置有闭合门，所述壳体的底端固接有加热单元，所述壳体与石墨坩埚之间设置有两组调节组件，每组所述调节组件均包括固接在壳体一侧的第一电机；固接在第一电机输出端的往复螺杆；且定位轴的圆周面开设有往复螺纹，所述定位轴的顶端滑动设置有转动环，所述转动环的表面转动有若干磁场线圈，通过转动环和磁场线圈的设置，解决了现有的长晶技术中，随着生长速率提高与生长尺寸增大，坩埚内部气流的扩散与对流难以控制，坩埚内气流紊乱，生长中的晶体易产生微观缺陷，产生影响晶体质量的问题。
主权项：1.一种PVT法磁场控制气流导向的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：包括壳体（1），所述壳体（1）的一侧转动设置有闭合门（11），所述壳体（1）的底端固接有加热单元（12），所述加热单元（12）上表面设有石墨坩埚（14），所述石墨坩埚（14）的顶端固接有籽晶块（13），所述壳体（1）与石墨坩埚（14）之间设置有两组调节组件，每组所述调节组件均包括固接在壳体（1）一侧的第一电机（3）；固接在第一电机（3）输出端的往复螺杆（31）；螺纹连接在往复螺杆（31）圆周面的滑动块（34）；以及固接在滑动块（34）一侧的连接块（37），所述连接块（37）的表面转动设置有定位轴（310），且定位轴（310）的圆周面开设有往复螺纹，所述定位轴（310）的顶端滑动设置有转动环（313），所述转动环（313）的表面转动有若干磁场线圈。
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权利要求：
百度查询： 连科半导体有限公司 一种PVT法磁场控制气流导向的碳化硅单晶生长装置
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