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申请/专利权人：重庆大学;重庆平伟实业股份有限公司
摘要：本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层；第一导电类型漂移层；第一导电类型第一导电层；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层；第二导电类型第二半导体层；栅极金属层；第一导电类型第二导电层；钝化层；以及源极金属层。本申请利用异质结界面电子积累效应，在已采用超结结构基础上，使器件导通电阻进一步降低，功率优值明显提高。
主权项：1.一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层，设置于所述第一导电类型衬底的一侧；第一导电类型漂移层，设置于所述第一导电类型衬底背离所述漏极金属层的一侧；第一导电类型第一导电层，设置于所述第一导电类型漂移层背离所述第一导电类型衬底一侧；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层，设置于所述第一导电类型漂移层两侧，并延伸至所述第一导电类型第一导电层的侧边；第二导电类型第二半导体层，设置于所述凸出部的两侧，并覆盖所述第二导电类型第一半导体层，其中，所述第二导电类型第一半导体层以及所述第二导电类型第二半导体层分别在与第一导电类型第一导电层以及所述第一导电类型漂移层的接触面形成异质结界面；栅极金属层，设置于所述第二导电类型第二半导体层上；第一导电类型第二导电层，设置于所述凸出部远离所述第一导电类型漂移层的一侧；钝化层，其覆盖所述第二导电类型第二半导体层和所述栅极金属层；源极金属层，其设置于所述所述第一导电类型第二导电层背离所述凸出部的一侧。
全文数据：
权利要求：
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