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申请/专利权人：广东强辉明源科技有限公司
摘要：本发明涉及一种LED芯片表面粗化工艺，上述LED芯片表面粗化工艺步骤简练精妙、容易操控，每个步骤都认真细微，先制备出GaN外延片，在对GaN外延片进行粗化处理，具体的，先将光刻胶涂覆在GaN外延片上需要保留的部分烘干后形成掩膜层，再对GaN外延片进行ICP刻蚀处理。再将保护液涂覆在GaN外延片上需要保留的部分，烘干后形成保护层。随后，将涂覆有保护层的GaN外延片放置到刻蚀液中进行湿法刻蚀。将外延片加热至250摄氏度，后将加热到熔融状态的KOH均匀涂抹在GaN外延片表面进行干法蚀刻。GaN外延片依次经过ICP刻蚀、湿法刻蚀和干法刻蚀后在其表面形成了稳定的且致密的表面微结构，从而提高了LED芯片的光提取效率。
主权项：1.一种LED芯片表面粗化工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：GaN外延片制备步骤：半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；掩膜层涂覆步骤：将光刻胶涂覆在GaN外延片上需要保留的部分烘干后形成掩膜层；ICP刻蚀步骤：对GaN外延片进行ICP刻蚀；GaN外延片第一次清理步骤：将ICP刻蚀完成的GaN外延片在超声波清洗机中清洗4分钟后做烘干处理；保护层第一次涂覆步骤：将保护液涂覆在GaN外延片上需要保留的部分，烘干后形成保护层；湿法刻蚀步骤：将涂覆有保护层的GaN外延片放置到刻蚀液中浸泡80秒，用清水清洗干净后，做烘干处理；保护层第二次涂覆步骤：将保护液涂覆在GaN外延片上需要保留的部分，烘干后形成保护层；干法刻蚀步骤：将外延片加热至250摄氏度，后将加热到熔融状态的KOH均匀涂抹在GaN外延片表面，继续加热使温度稳定在220摄氏度，持续腐蚀1分钟；GaN外延片第二次清理步骤：干法刻蚀完成的GaN外延片自然冷却后，将干法刻蚀完成的GaN外延片在超声波清洗机中清洗4分钟后做烘干处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东强辉明源科技有限公司 一种LED芯片表面粗化工艺
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