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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明公开了一种神经元晶体管，包括：衬底，衬底形成有沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别设置在沟道区的两端；分别形成在源区和漏区上的源电极和漏电极；第一栅介质层，覆盖在沟道区上；多个相变内栅，设置在第一栅介质层上，每个相变内栅适用于用做记忆电阻并与沟道区之间形成内栅电容，以在输入电压脉冲信号的调控下模拟神经元晶体管的突触，调节输入电压脉冲信号的权重；第二栅介质层，覆盖在第一栅介质层和相变内栅上，第二栅介质层在相变内栅上形成有多个内栅接触孔和外栅接触孔；多个内栅电极，设置在第二介质层上，通过内栅接触孔与相变内栅相连接，以接受输入电压脉冲信号；金属外栅，用于覆盖在第二栅介质层，通过外栅接触孔与相变内栅相连，以与相变内栅协作形成电阻‑电容并联结构。
主权项：1.一种神经元晶体管，包括：衬底，所述衬底形成有沟道区、源区和漏区，所述源区和所述漏区分别设置在所述沟道区的两端；分别形成在所述源区和所述漏区上的源电极和漏电极；第一栅介质层，覆盖在所述沟道区上；多个相变内栅，设置在所述第一栅介质层上，每个所述相变内栅适用于用做记忆电阻并与所述沟道区之间形成内栅电容，以在输入电压脉冲信号的调控下模拟所述神经元晶体管的突触，调节输入电压脉冲信号的权重；第二栅介质层，覆盖在所述第一栅介质层和所述相变内栅上，所述第二栅介质层在所述相变内栅上形成有多个内栅接触孔和外栅接触孔；多个内栅电极，设置在所述第二栅介质层上，通过所述内栅接触孔与所述相变内栅相连接，以接受输入电压脉冲信号，所述多个内栅电极协同控制沟道电流作为输出信号，实现神经元的加权计算功能；金属外栅，用于覆盖在所述第二栅介质层，通过所述外栅接触孔与所述相变内栅相连，以与所述相变内栅协作形成电阻-电容并联结构。
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百度查询： 中国科学院半导体研究所 神经元晶体管及其制备方法
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