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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于氮化镓HEMT器件技术领域，具体涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，其自一侧向另一侧依次设置有衬底、成核层、缓冲层、插入层、AlGaN势垒层、SiN帽层和钝化层，插入层和AlGaN势垒层形成异质结，所述SiN帽层经过氧等离子体处理，氧等离子体处理时，上电极功率为50~600W，下电极功率为0~100W，不为0。通过氧等离子体处理原位生长SiN帽层的方法降低了氮化镓HEMT中的关态漏电，提高了开关选择比，降低表面粗糙度，提高栅极肖特基势垒高度，提高了击穿电压。
主权项：1.一种氮化镓HEMT器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：在衬底上依次生长成核层、缓冲层、插入层、AlGaN势垒层和SiN帽层；所述成核层的厚度为5~500nm；所述缓冲层的厚度为0.2~10μm；所述插入层的厚度为0.5~2nm；所述AlGaN势垒层的厚度为10~30nm；所述SiN帽层的厚度为1~50nm；刻蚀掉待生长源电极和漏电极的区域，在刻蚀区域生长源电极和漏电极，并进行退火；对制备完欧姆接触的器件的SiN帽层进行氧等离子体处理，氧等离子体的上电极功率为50~400W，下电极功率为0~100W，不为0，处理时间为1-3min；在经过氧等离子体处理的SiN帽层上制备栅电极，然后生长SiO2钝化层，即可，具体包括：1）对经过氧等离子体处理的样品进行光刻显影，露出需要生长栅极电极的区域；2）使用磁控溅射在样品表面依次生长100nmNi和100nmAu，在丙酮中对磁控溅射生长的金属进行剥离，得到金属栅电极；3）使用等离子体增强化学气相沉积技术在制备好栅极金属的样品表面生长一层250nm的SiO2作为钝化层；4）在生长完钝化层的样品进行光刻显影，露出需要刻蚀的区域，使用ICP刻蚀SiO2直至露出金属栅电极；所述氮化镓HEMT器件自一侧向另一侧依次设置有衬底、成核层、缓冲层、插入层、AlGaN势垒层、SiN帽层和钝化层，缓冲层和AlGaN势垒层形成异质结；氧等离子体处理时的腔室压力为10~50mTorr，温度为10~40℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
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