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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种电路包括第一反相器和第二反相器。第一反相器耦合到输入端子。输入端子接收在第一电压域中变化的输入信号。第二反相器耦合在第一反相器和输出端子之间。第二反相器生成在第二电压域中变化的输出信号。第一反相器包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管。第一PMOS晶体管由从输入信号生成的第一输入跟踪信号偏置。第一输入跟踪信号在第三电压域中变化。第一NMOS晶体管由从输入信号生成的第二输入跟踪信号偏置。第二输入跟踪信号在第二电压域中变化。本公开的实施例还涉及缓冲器电路以及用于操作缓冲器电路的方法。
主权项：1.一种缓冲器电路，包括：第一反相器，耦合到输入端子，所述输入端子接收在第一电压域中从负电源电平变化到第一正电源电平的输入信号；第二反相器，耦合在所述第一反相器和输出端子之间，所述第二反相器生成在第二电压域中从所述负电源电平变化到第二正电源电平的输出信号，其中，所述第一反相器包括：第一PMOS晶体管，由从所述输入信号生成的第一输入跟踪信号偏置，所述第一输入跟踪信号在第三电压域中从参考电平变化到所述第一正电源电平，所述参考电平高于所述负电源电平；以及第一NMOS晶体管，由从所述输入信号生成的第二输入跟踪信号偏置，所述第二输入跟踪信号在所述第二电压域中变化；以及第一反馈回路，耦合在所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输出端之间，并且被配置为接收来自所述第二反相器的所述输出信号并响应于所述输出信号进行操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 缓冲器电路及其方法
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