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申请/专利权人：深圳市格阳医疗科技有限公司

摘要：本发明公开了一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，用于与麻醉深度监测仪中央处理器连接，包括第一继电器、第二继电器、USB接口、PMOS晶体管、充电电路模块、第一稳压单元、第二稳压单元、第二二极管，中央处理器通过第一继电器与PMOS晶体管的栅极连接，PMOS晶体管的源极与USB接口连接，PMOS晶体管的漏极与充电电路模块连接，充电电路模块分别与第一稳压单元、第二稳压单元连接，第二稳压单元通过第二二极管与第一稳压单元连接，第二继电器其中一端与第一稳压单元连接，另一端接地，本发明通过扩充外部存储能够实时传输和存储患者的海量就诊信息和临床数据，有益于提高工作效率以及后期对患者临床数据作对比，进行更深层次的研发工作。

主权项：1.一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，用于与所述麻醉深度监测仪中央处理器1连接，所述中央处理器1为ARM四核Cortex-A9处理器，所述中央处理器1包括供电输出端口101、接地端口102、数据传输D+端口103、数据传输D-端口104，其特征在于：包括第一继电器J1、第二继电器J2、USB接口2、PMOS晶体管Q1、充电电路模块3、第一稳压单元4、第二稳压单元5、第二电阻R2、第五电容C5、第九电容C9、第一二极管D1、第二二极管D2，所述供电输出端口101、接地端口102分别与所述第一继电器J1的两个端子连接，所述数据传输D+端口103、数据传输D-端口104均与所述USB接口2连接，所述第一继电器J1与所述接地端口102连接端的端子接地，所述第一继电器J1与所述供电输出端口101连接端的端子与所述PMOS晶体管Q1的栅极G连接，所述PMOS晶体管Q1的栅极G通过第二电阻R2接地，所述PMOS晶体管Q1的源极S与所述USB接口2连接，所述PMOS晶体管Q1的漏极D通过所述第五电容C5接地，所述第一继电器J1与所述供电输出端口101连接端的端子与所述第一二极管D1的正极连接，所述第一二极管D1的负极通过所述第五电容C5接地，所述第九电容C9并联接入所述第五电容C5的两端，所述第五电容与所述第一二极管正极的连接端与所述充电电路模块3连接，所述充电电路模块3分别与所述第一稳压单元4、第二稳压单元5连接，所述第二稳压单元5通过所述第二二极管D2与所述第一稳压单元4连接，所述第二继电器J2其中一端与所述第一稳压单元4连接，所述第二继电器J2另一端接地。

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