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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本申请提出一种GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器。其中，GaN基宽输入功率范围整流芯片的制作方法，包括：在衬底上依次沉积非掺杂GaN层、AlGaN势垒层和p－GaN层，得到外延片；刻蚀所述外延片，以实现台面隔离，形成增强型HEMT器件台面、第一SBD台面和第二SBD台面，并且第一SBD台面和第二SBD台面均局部刻蚀至同时露出AlGaN势垒层和非掺杂GaN层，HEMT器件台面局部刻蚀至顶端两侧暴露出AlGaN势垒层；制作电极，以使HEMT器件台面的顶部形成栅极，一侧的AlGaN势垒层形成源极，另一侧的AlGaN势垒层形成漏极；将第一SBD台面的负极和第二SBD台面的正极、HEMT器件台面的漏极连接；将第二SBD台面的负极和HEMT器件台面的源极连接；将栅极引脚连接至栅极处。
主权项：1.一种GaN基宽输入功率范围整流芯片的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上依次沉积非掺杂GaN层、AlGaN势垒层和p－GaN层，得到外延片；刻蚀所述外延片，以实现台面隔离，形成增强型HEMT器件台面、第一SBD台面和第二SBD台面，并且所述第一SBD台面和所述第二SBD台面均局部刻蚀至同时露出所述AlGaN势垒层和所述非掺杂GaN层，所述HEMT器件台面局部刻蚀至顶端两侧暴露出所述AlGaN势垒层；制作电极，以使所述HEMT器件台面的顶部形成栅极，一侧的所述AlGaN势垒层形成源极，另一侧的所述AlGaN势垒层形成漏极；将所述第一SBD台面的负极和第二SBD台面的正极、所述HEMT器件台面的漏极连接；将所述第二SBD台面的负极和所述HEMT器件台面的源极连接；将所述栅极引脚连接至所述栅极处。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器
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