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申请/专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
摘要：本实用新型提供了一种瞬态电压抑制保护器件，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上；第一掺杂区和两个第二掺杂区，位于所述外延层的顶部，两个所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的两侧；掺杂的多晶硅层，从所述第二掺杂区中延伸进入所述衬底中，以使得所述衬底通过所述多晶硅层与两个所述第二掺杂区连通；所述衬底、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述多晶硅层均与所述外延层的掺杂类型相反。本实用新型的瞬态电压抑制保护器件能够具有双向高对称性，使得瞬态电压抑制保护器件能够更好的适用于交流保护回路中，对后端电路起到非常好的保护作用。
主权项：1.一种瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上；第一掺杂区和两个第二掺杂区，位于所述外延层的顶部，两个所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的两侧；掺杂的多晶硅层，从所述第二掺杂区中延伸进入所述衬底中，以使得所述衬底通过所述多晶硅层与两个所述第二掺杂区连通；所述衬底、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述多晶硅层均与所述外延层的掺杂类型相反。
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