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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体静电保护器件，包括衬底，所述衬底内形成有第一导电类型的深阱区；第一二极管，所述第一二极管的阳极接第一电压，所述第一二极管的阴极接输入输出端；第二二极管，所述第二二极管的阳极接所述输入输出端，所述第二二极管的阴极接第二电压；所述第一二极管和所述第二二极管均位于所述第一导电类型的深阱区内。本发明的半导体静电保护器件具有良好的静电电荷泄放性能和较小的寄生电容。
主权项：1.一种半导体静电保护器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内形成有第一导电类型的深阱区；第一二极管，所述第一二极管的阳极接第一电压，所述第一二极管的阴极接输入输出端；第二二极管，所述第二二极管的阳极接所述输入输出端，所述第二二极管的阴极接第二电压；所述第一二极管和所述第二二极管均位于所述第一导电类型的深阱区内；还包括：第一导电类型的掺杂阱区和第二导电类型的掺杂阱区，所述第一导电类型的掺杂阱区和第二导电类型的掺杂阱区均位于所述深阱区内，所述第一二极管位于所述第一导电类型的掺杂区，所述第二二极管位于所述第二导电类型的掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体静电保护器件
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