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谐振器及其制备方法 

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申请/专利权人:瑞声科技(新加坡)有限公司

摘要:本申请提供一种谐振器及其制备方法,谐振器包括:衬底;底电极,位于衬底之上;压电层,压电层叠设于底电极之上;压电层远离衬底的表面设有凹陷框架;阻挡层,阻挡层叠设于压电层之上,阻挡层与压电层部分间隔形成气隙区,且气隙区位于凹陷框架的边缘;至少一层分流金属层,分流金属层叠设于阻挡层之上,沿谐振器的厚度方向,凹陷框架以及气隙区的投影轮廓均位于分流金属层的投影轮廓内;及顶电极,顶电极叠设于分流金属层之上;顶电极远离压电层的表面设有凸起框架,凸起框架的投影轮廓位于谐振区的边缘位置。本申请实施例提供的谐振器及其制备方法,可以在频率调节方面提供更大的灵活性,满足不同带宽的需求;还能提高谐振器的品质因数Q值。

主权项:1.一种谐振器,其特征在于,所述谐振器包括:衬底;底电极,位于所述衬底之上;压电层,所述压电层叠设于所述底电极之上;所述压电层远离所述衬底的表面设有凹陷框架;阻挡层,所述阻挡层叠设于所述压电层之上,所述阻挡层覆盖所述凹陷框架,所述阻挡层与所述压电层部分间隔形成气隙区,且所述气隙区位于所述凹陷框架的边缘;至少一层分流金属层,所述分流金属层叠设于所述阻挡层之上,沿谐振器的厚度方向,所述凹陷框架以及所述气隙区的投影轮廓均位于所述分流金属层的投影轮廓内;及顶电极,所述顶电极叠设于所述分流金属层之上,所述顶电极、所述压电层与所述底电极沿所述谐振器厚度方向交叠区域为谐振区;所述顶电极远离所述压电层的表面设有凸起框架,所述凸起框架的投影轮廓位于所述谐振区的边缘位置且至少部分与所述谐振区交叠。

全文数据:

权利要求:

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