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一种晶硅基电池片分片断面的钝化修复方法及钝化装置 

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申请/专利权人:苏州小牛自动化设备有限公司

摘要:本申请公开一种晶硅基电池片分片断面的钝化修复方法,包括:叠置多个晶硅基电池片分片,并使多个晶硅基电池片分片的断面共面形成待钝化面形成晶硅基电池片分片组,将晶硅基电池片分片组放置于固定工装中形成钝化单元;提供一个输送机构,将钝化单元输送至蒸镀退火机构中,蒸镀退火机构中设有第一源材料,在真空条件且20℃~300℃的温度环境下,加热第一源材料蒸发形成气态第一源材料,气态第一源材料在待钝化面上进行第一钝化层沉积;蒸镀退火机构在100℃~350℃的温度环境下对完成第一钝化层沉积的钝化单元中的晶硅基电池片分片组进行退火处理。上述技术方案能够解决电池子片的断面钝化工艺繁琐、费时费力,较难形成断面钝化的规模生产的问题。

主权项:1.一种晶硅基电池片分片断面的钝化修复方法,其特征在于,包括:S1、叠置多个晶硅基电池片分片形成晶硅基电池片分片组,并使多个所述晶硅基电池片分片的断面共面形成待钝化面,将所述晶硅基电池片分片组放置于固定工装110中形成钝化单元100,其中,每个所述待钝化面外露于所述固定工装110之外;S2、提供一个输送机构200,将所述钝化单元100输送至蒸镀退火机构300中,所述蒸镀退火机构300中设有第一源材料,在真空条件且20℃~300℃的温度环境下,所述蒸镀退火机构300对所述第一源材料加热蒸发形成气态第一源材料,所述气态第一源材料在所述钝化单元100中的所述待钝化面上进行第一钝化层沉积;S3、所述蒸镀退火机构300在100℃~350℃的温度环境下对完成所述第一钝化层沉积的所述钝化单元100中的所述晶硅基电池片分片组进行退火处理。

全文数据:

权利要求:

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