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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请涉及一种对准图形、半导体器件、电子设备及曝光补偿方法。该对准图形位于切割道内；对准图形包括首层对准图形以及至少一测量对准图形；首层对准图形位于首层半导体膜层上，包括共用中心点及对称轴的中心对称图形，以及位于中心对称图形以内的菱形；至少一测量对准图形位于沿背离首层半导体膜层的方向依次层叠的不同半导体膜层上；至少一测量对准图形均为菱形；至少一测量对准图形相较于首层对准图形的偏移矢量，用于指示所在半导体膜层的套刻偏移量。本申请能够在芯片制造阶段对套刻偏移量的进行实时量测与及时补偿，实现了芯片的套刻精度的提升，从而提升了光刻产品良率。
主权项：1.一种对准图形，其特征在于，位于切割道内，包括首层对准图形以及至少一测量对准图形；所述首层对准图形位于首层半导体膜层上，包括共用中心点及对称轴的中心对称图形，以及位于所述中心对称图形以内的菱形；所述至少一测量对准图形位于沿背离首层半导体膜层的方向依次层叠的不同半导体膜层上；所述至少一测量对准图形均为菱形；所述至少一测量对准图形相较于所述首层对准图形的偏移矢量，用于指示所在半导体膜层的套刻偏移量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 对准图形、半导体器件、电子设备及曝光补偿方法
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