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申请/专利权人：国家能源投资集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究院

摘要：本公开涉及一种铜铟镓硒薄膜生长的相变监控方法及相变监控系统，本公开通过使用温度监测单元原位监测运动衬底上不同位置或衬底某一点在行进中不同位置处的温度相对值，判断出薄膜实际相变位置，根据实际相变位置和目标相变位置的差异，无延时的调控蒸发源的沉积速率，实现原位实时监控，达到对膜层[Cu][In]+[Ga]比例的精确控制，提升良品率，有效降低电池成本。

主权项：1.一种铜铟镓硒薄膜生长的相变监控方法，其特征在于，所述方法包括：1使具有预设组成的In-Ga-Se第一衬底在沉积装置中以第一速度移动并以第一Cu沉积速率和第一Se蒸气分压下沉积Cu和Se以在所述第一衬底上形成CIGS；获取并标记所述第一衬底在该沉积装置中达到CIGS相变点出现的目标相变位置；2使具有所述预设组成的In-Ga-Se第二衬底在所述沉积装置中以所述第一速度移动并以所述第一Cu沉积速率和第一Se蒸气分压下沉积Cu和Se；采用温度监测单元对所述第二衬底多个位置进行监测以获取多个位置对应的温度信号；所述温度监测单元包括沿衬底移动方向排列的多个温度探测器，每个温度探测器的位置固定；3当所述温度监测单元监测获取得到的温度信号出现温度突变点，以该温度突变点对应的位置作为所述第二衬底的实际相变位置；根据所述实际相变位置与所述目标相变位置之间的位置差异调整Cu沉积速率，包括：当所述实际相变位置在所述目标相变位置之前出现，调整所述第一Cu沉积速率至第三Cu沉积速率，所述第三Cu沉积速率所述第一Cu沉积速率；当所述实际相变位置在所述目标相变位置之后出现，调整所述第一Cu沉积速率至第四Cu沉积速率，所述第四Cu沉积速率所述第一Cu沉积速率；4使所述第二衬底在第三Cu沉积速率或第四Cu沉积速率下以所述第一速度移动在沉积装置中继续移动，所述温度监测单元继续监测并获取所述第二衬底的温度信号；5当该温度突变点移动到新的位置，根据温度突变点新的位置与所述目标相变位置的差异，重复3～4。

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