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申请/专利权人：香港大学
摘要：本发明涉及通过脉冲激光沉积法形成具有高介电常数和在可见光范围内具有高光学透射率的薄膜Ga0.5％，Cu8％共掺杂ZnO。该方法的步骤包括将安装在样品架上的基于蓝宝石的衬底安置到脉冲激光沉积室中；并在所述室内安置含有经设计的Ga和Cu浓度的ZnO陶瓷靶。然后将所述室抽真空，直到压力达到5e‑4Pa，此时将衬底加热到约600摄氏度。接下来将氧气引入到所述室中并调整到约5Pa的压力。将衬底支架和靶支架的旋转速度调整为约10rmin。最后，将激光束施加到所述靶上以对其进行充分烧蚀，以产生离子化原子的等离子体，该等离子体沉积在基板上以形成与靶具有相同组成的膜。
主权项：1.Ga0.5％-Cu8％共掺杂ZnO薄膜，特征在于其是通过脉冲激光沉积法形成的，具有高介电常数和在可见光范围内具有高光学透射率，其中所述百分比为质量百分比。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港大学 通过脉冲激光沉积制备的透明且高k的薄膜
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