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氧化镓单晶及其生长装置及生长方法 

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申请/专利权人:北京镓创科技有限公司

摘要:本申请提供了一种氧化镓单晶及其生长装置及生长方法。生长装置包括:坩埚,用于生长氧化镓单晶,具有第一开口;坩埚的侧壁长度小于坩埚的底壁长度;坩埚支架,用于容纳和支撑坩埚,具有第二开口;坩埚支架的侧壁厚度小于坩埚支架的底壁厚度;保温盖,盖设于第二开口上,具有第三开口,第三开口远离坩埚支架的一侧设有透光的盖体;当坩埚容纳于坩埚支架内,且保温盖盖于第二开口上时,第三开口位于第一开口的上方;加热器,位于坩埚支架的外部,用于加热坩埚;以及红外测温仪,用于通过第三开口和盖体测量坩埚内部的温度,从而监控氧化镓单晶的生长过程。本申请通过热场结构的设计在熔体表面诱导了被动式冷心,能够获得高品质氧化镓单晶。

主权项:1.一种氧化镓单晶的生长装置,其特征在于,应用于铸造法生长氧化镓单晶,所述生长装置包括:坩埚,用于生长所述氧化镓单晶,具有第一开口;其中所述坩埚的侧壁长度小于所述坩埚的底壁长度,所述坩埚的所述底壁长度与所述坩埚的所述侧壁长度的比值大于1.2,且小于3;所述坩埚的内侧面与所述坩埚的内底面之间具有91°~100°的夹角;所述坩埚采用铱金、铂铑合金、铂铱合金、氧化铝、氧化锆、氧化镁中的一种或多种材料制成;坩埚支架,用于容纳和支撑所述坩埚,具有第二开口;其中所述坩埚支架的侧壁厚度小于所述坩埚支架的底壁厚度,所述坩埚支架的所述侧壁厚度为5~20mm,所述坩埚支架的所述底壁厚度为10~30mm;保温盖,盖设于所述第二开口上,具有第三开口,所述第三开口远离所述坩埚支架的一侧设有透光的盖体;其中当所述坩埚容纳于所述坩埚支架内,且所述保温盖盖于所述第二开口上时,所述第三开口位于所述第一开口的上方;所述坩埚支架和所述保温盖采用氧化铝纤维、氧化锆纤维、氧化镁纤维中的一种或多种材料制成;加热器,位于所述坩埚支架的外部,用于加热所述坩埚;以及红外测温仪,用于通过所述第三开口和所述盖体测量所述坩埚内部的温度,从而监控所述氧化镓单晶的生长过程;以及保温砖,用于支撑所述坩埚支架。

全文数据:

权利要求:

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