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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开的一个方面涉及一种集成电路IC封装结构，包括：底部电路结构，具有位于第一衬底上的第一半导体器件、位于第一半导体器件上方的第一互连结构和位于第一互连结构上方的第一接合结构；以及顶部电路结构，具有位于第二衬底上的第二半导体器件、位于第二半导体器件下面的第二互连结构和位于第二互连结构下面的第二接合结构。第一接合结构包括第一金属部件，第一金属部件具有金属的第一晶体体层和金属的第一非晶表面层。第二接合结构包括第二金属部件，第二金属部件具有金属的第二晶体体层和金属的第二非晶表面层。顶部电路结构通过第一非晶表面层和第二非晶表面层接合至底部电路结构。根据本申请的其他实施例，还提供了集成电路封装结构以及形成集成电路封装结构的方法。
主权项：1.一种集成电路封装结构，包括：底部电路结构，所述底部电路结构具有位于第一衬底上的第一半导体器件、位于所述第一半导体器件上方的第一互连结构和位于所述第一互连结构上方的第一接合结构；以及顶部电路结构，所述顶部电路结构具有位于第二衬底上的第二半导体器件、位于所述第二半导体器件下面的第二互连结构和位于所述第二互连结构下面的第二接合结构，其中，所述第一接合结构包括第一金属部件，所述第一金属部件具有金属的第一晶体体层和所述金属的第一非晶表面层，所述第二接合结构包括第二金属部件，所述第二金属部件具有所述金属的第二晶体体层和所述金属的第二非晶表面层，并且所述顶部电路结构通过所述第一非晶表面层和所述第二非晶表面层接合至所述底部电路结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路封装结构及其形成方法
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