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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十研究所
摘要:本发明公开了一种同频统型功放芯片及模组级使用方法,该方法属于射频半导体技术领域,该芯片包括分布在芯片一侧的小功率放大支路和分布在芯片另一侧的大功率放大支路,小功率放大支路包括若干小功率漏极供电压点,大功率放大支路包括若干大功率漏极供电压点,小功率放大支路和大功率放大支路的输入端和输出端共用就近地压点;通过大功率漏极供电压点和小功率漏极供电压点调整功放芯片的漏极电压。本发明通过改变功放芯片漏极供电电压的方式改变输出功率,以到达统型的目的。
主权项:1.一种同频统型功放芯片,其特征在于,所述功放芯片包括分布在芯片一侧的小功率放大支路和分布在芯片另一侧的大功率放大支路,所述小功率放大支路包括若干小功率漏极供电压点,所述大功率放大支路包括若干大功率漏极供电压点,所述小功率放大支路和所述大功率放大支路的输入端和输出端共用就近地压点;通过所述大功率漏极供电压点和所述小功率漏极供电压点调整所述功放芯片的漏极电压。
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权利要求:
百度查询: 中国电子科技集团公司第十研究所 同频统型功放芯片及模组级使用方法
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