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申请/专利权人：NANO科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供一种适用于硅光集成芯片的硅基薄膜铌酸锂调制器，其中锗硅结构探测器以单片集成的方式集成在硅光集成芯片上。所述硅基薄膜铌酸锂调制器包括：硅光波导；薄膜铌酸锂波导，所述薄膜酸锂波导倒贴在硅光波导的上方；垂直绝热耦合器，所述垂直绝热耦合器将所述硅光波导中的光导入到所述薄膜铌酸锂波导中，以及将所述薄膜铌酸锂波导中的光导回至所述硅光波导中。本发明的薄膜铌酸锂调制器可实现超大电光带宽并且光损耗较低，是较为理想的调制器类型。
主权项：1.一种适用于硅光集成芯片的硅基薄膜铌酸锂调制器，其中锗硅结构探测器以单片集成的方式集成在硅光集成芯片上，所述硅基薄膜铌酸锂调制器包括：硅光波导；薄膜铌酸锂波导，所述薄膜铌酸锂波导倒贴在硅光波导的上方；垂直绝热耦合器，所述垂直绝热耦合器将所述硅光波导中的光导入到所述薄膜铌酸锂波导中，以及将所述薄膜铌酸锂波导中的光导回至所述硅光波导中，其中所述硅光集成芯片的第一金属层作为所述硅基薄膜铌酸锂调制器的行波调制电极，硅光集成芯片的第二金属层作为所述硅基薄膜铌酸锂调制器的电输入信号的电接触接口，所述第一金属层形成CPW形式的行波电极传输线，射频信号的馈入通过所述第二金属层完成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： NANO科技(北京)有限公司 适用于硅光集成芯片的硅基薄膜铌酸锂调制器
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