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一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构 

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申请/专利权人:曹建峰

摘要:本发明公开了一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构,包括金属基底层,设置在金属基底层上的粘接层,设置在粘接层上的绝缘层,设置在绝缘层上的传感器电路层,绝缘层由氧化铝以不同工艺分次逐层淀积构成。本发明利用电子束蒸发工艺快速制作氧化铝绝缘层,借助原子层堆积工艺的台阶覆盖能力制备的氧化铝绝缘层会将通过电子束蒸发工艺制作的氧化铝绝缘层中的针孔覆盖住,确保传感器电路层与金属基底之间不会出现短路;同时通过原子层堆积工艺制作的氧化铝绝缘层厚度在10~500nm,不会产生大量的时间和成本;本发明的结构简单,在不增加时间及成本的前提下,解决了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境条件下使用时出现短路的难题。

主权项:1.一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构,其特征在于:包括金属基底层,设置在金属基底层上的粘接层,设置在粘接层上的绝缘层,设置在绝缘层上的传感器电路层,所述绝缘层由氧化铝以不同工艺分次逐层淀积构成;所述粘接层为在金属基底上淀积的厚5~50nm的金属钛层或金属铬层;所述绝缘层为三层氧化铝分次逐层淀积构成,在绝缘层及传感器电路层上设置或不设置保护层;所述绝缘层的第一层为通过电子束蒸发在粘接层上淀积的厚0.2~5um的一层氧化铝;所述绝缘层的第二层为通过原子层堆积在第一层上淀积的厚10~500nm的一层氧化铝;所述绝缘层的第三层为通过电子束蒸发在第二层上淀积的厚0.2~5um的一层氧化铝;所述保护层包括第一保护层,第一保护层为通过电子束蒸发在绝缘层的第三层上淀积的厚0.2~5um的一层氧化铝,第一保护层不覆盖传感器电路层的焊盘;所述保护层还包括第二保护层,第二保护层为通过原子层堆积在第一保护层上淀积的厚10~500nm的一层氧化铝,第二保护层不覆盖传感器电路层的焊盘;所述保护层还包括第三保护层,第三保护层为通过电子束蒸发在第二保护层上淀积的厚0.2~5um的一层氧化铝,第三保护层不覆盖传感器电路层的焊盘。

全文数据:

权利要求:

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