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一种背接触电池及其制作方法和光伏组件 

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申请/专利权人:金阳(泉州)新能源科技有限公司

摘要:本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池及其制作方法和光伏组件,包括第一半导体层和第二半导体层,在硅片正面设置的钝化层和减反层,以及金属电极,第二半导体层包含沿背面向外依次设置的第二隧穿氧化硅层、P型多晶复合层,所述P型多晶复合层包含掺氮的P型多晶底层、掺氮的P型多晶中层和无掺氮的P型多晶顶层;还包括在第二半导体层外表面设置的掩膜层,所述钝化层包含氧化层、三氧化二铝,且不设置导电膜层,金属电极为高温银浆。本发明能在无须设置导电膜层的情况下采用高温银浆取代常规的低温银浆,有利于降低电池的制作成本,简化了制作工艺,节约了TCO材料成本,同时兼顾优异的填充因子、转换效率和开路电压。

主权项:1.一种背接触电池,包括具有正面和背面的硅片,在硅片背面交替排布的第一半导体层和第二半导体层,在硅片正面设置的钝化层和减反层,以及金属电极,第一半导体层包含第一隧穿氧化硅层与N型掺杂多晶硅层,相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区,其特征在于,第二半导体层包含沿背面向外依次设置的第二隧穿氧化硅层、P型多晶复合层,所述P型多晶复合层包含由内向外依次设置的掺氮的P型多晶底层、掺氮的P型多晶中层和无掺氮的P型多晶顶层,P型多晶底层的掺氮浓度大于P型多晶中层的掺氮浓度;所述背接触电池还包括在第二半导体层外表面设置的掩膜层,所述钝化层包含沿正面向外依次设置的氧化层、三氧化二铝,且所述背接触电池的对应半导体层外表面不设置导电膜层,金属电极设置在对应半导体层外表面,金属电极为在高于500℃的环境下通过烧结得到的高温银浆。

全文数据:

权利要求:

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