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D触发器的仿真优化方法以及D触发器 

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申请/专利权人:天水天光半导体有限责任公司

摘要:本申请公开了一种D触发器的仿真优化方法以及D触发器,涉及电路仿真设计领域。该方案包括对不具有热插拔功能的D触发器的初始三态输出电路替换为改进三态输出电路,得到具有热插拔功能的D触发器的改进电路网表;基于改进电路网表进行仿真验证,得到D触发器在热插拔时的电流仿真曲线;判断电流仿真曲线的仿真结果是否满足预定的性能要求,如否,则对改进三态输出电路进行优化,得到更新后的改进电路网表,重复基于所述改进电路网表进行仿真验证的步骤,直至电流仿真曲线的仿真结果满足预定的性能要求。本申请实现D触发器的热插拔功能,保证输出数据的完整性和可靠性,同时提高使用便利性。

主权项:1.一种D触发器的仿真优化方法,其特征在于,包括:对不具有热插拔功能的D触发器的初始电路网表进行解析,得到所述D触发器的初始三态输出电路,将所述初始三态输出电路替换为改进三态输出电路,得到具有热插拔功能的D触发器的改进电路网表;其中,所述改进三态输出电路包括与非门控制电路、电流关断电路和反馈电路;所述与非门控制电路用于在所述D触发器的热插入和热拔出期间向所述电流关断电路输出高电平控制信号;所述电流关断电路用于基于所述高电平控制信号禁止所述D触发器的输出端的输出信号,阻断所述D触发器的热插入和热拔出期间的回流电流信号;所述反馈电路用于基于所述D触发器的输出端的输出信号向所述与非门控制电路和所述D触发器中的从触发器输出反馈信号;所述与非门控制电路包括热插拔信号控制单元和三输入与非门;所述热插拔信号控制单元用于在所述D触发器的热插入和热拔出期间向所述三输入与非门的第一输入端输入低电平控制信号,以使得所述三输入与非门输出所述高电平控制信号;所述电流关断电路包括第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第四电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第四NMOS管,其中第三PMOS管和第四PMOS管的源极、第五PMOS管的栅极均连接所述三输入与非门的输出端;所述第三PMOS管的栅极连接所述第四电阻的第一端、并连接所述第四NMOS管的栅极和漏极,所述第四NMOS管的源极接地;所述第四电阻的第二端连接所述第二肖特基二极管的负极,所述第一肖特基二极管、第二肖特基二极管的正极连接电源电压;所述第一肖特基二极管的负极连接所述第二PMOS管的源极和所述第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的衬底,所述第二PMOS管、第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的源极均连接电源电压;所述第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的漏极均连接所述D触发器的输出端;基于所述改进电路网表进行所述具有热插拔功能的D触发器的仿真验证,得到所述具有热插拔功能的D触发器在热插拔时的电流仿真曲线;判断所述电流仿真曲线的仿真结果是否满足预定的性能要求,如否,则对所述改进三态输出电路进行优化,得到所述具有热插拔功能的D触发器的更新后的改进电路网表,重复所述基于所述改进电路网表进行所述具有热插拔功能的D触发器的仿真验证的步骤,直至所述电流仿真曲线的仿真结果满足预定的性能要求。

全文数据:

权利要求:

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