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申请/专利权人：大庆溢泰半导体材料有限公司
摘要：一种生长大尺寸锑化镓的连续加料装置，涉及晶体生长装置技术领域，包括生长炉和融料炉，生长炉内设置有外层生长坩埚和内层生长坩埚，内层生长坩埚与外层生长坩埚之间带有环形空间，内层生长坩埚的下端与外层生长坩埚之间带有过液间隙；融料炉内设置有融料坩埚和底部坩埚，融料坩埚上端加盖有密封的坩埚盖，融料坩埚下端伸入到底部坩埚内，融料坩埚的下端带有出液口，出液口处设置有封板塞，封板塞包括端帽和位于端帽下方的颈部，端帽的直径大于出液口，颈部的直径小于出液口，颈部伸出于融料坩埚之外并能够顶在底部坩埚内壁上，底部坩埚的侧壁连接有加料管，加料管的高度低于出液口的高度，加料管的另一端位于所述的环形空间的上方。
主权项：1.一种生长大尺寸锑化镓的连续加料装置，其特征在于：包括生长炉和融料炉，生长炉内设置有外层生长坩埚（2）和内层生长坩埚（1），内层生长坩埚（1）的直径小于外层生长坩埚（2）的直径，内层生长坩埚（1）位于外层生长坩埚（2）内，内层生长坩埚（1）与外层生长坩埚（2）之间带有环形空间，内层生长坩埚（1）的下端与外层生长坩埚（2）之间带有过液间隙；融料炉内设置有融料坩埚（9）和底部坩埚（8），所述的融料坩埚（9）上端加盖有密封的坩埚盖（10），融料坩埚（9）下端伸入到底部坩埚（8）内，融料坩埚（9）的下端带有出液口，出液口处设置有封板塞（7），封板塞（7）包括端帽和位于端帽下方的颈部，端帽的直径大于出液口，颈部的直径小于出液口，所述的颈部伸出于融料坩埚（9）之外并能够顶在底部坩埚（8）内壁上，所述的底部坩埚（8）的侧壁连接有加料管（6），加料管（6）的高度低于出液口的高度，加料管（6）的另一端位于内层生长坩埚（1）与外层生长坩埚（2）之间的环形空间的上方。
全文数据：
权利要求：
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