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申请/专利权人：无锡顺鼎金属科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，涉及单质硅提纯技术领域，包括底板，所述底板顶部的一侧固定连接有提纯机构，所述底板顶部的另一侧固定连接有冷凝机构，所述底板顶部的中部设置有缓冲机构。本实用新型通过缓冲机构的设置，在提纯单质硅时，在加热板二的作用下，对缓冲罐内凝结的液态硅进行加热，使液态硅可重新蒸发为气态，避免液体硅在缓冲罐内积累，同时在提纯完成后，缓冲罐内的残余气态硅会在温度相对缓冲罐上端较低的缓冲罐内腔下端逐渐凝结，随后启动电机，使支杆带动刮板进行转动，将液态硅刮除后，可打开排液管将其排出，减少残余气态硅在缓冲罐内凝结量，使其更便于使用。
主权项：1.一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，包括底板1，其特征在于：所述底板1顶部的一侧固定连接有提纯机构2，所述底板1顶部的另一侧固定连接有冷凝机构3，所述底板1顶部的中部设置有缓冲机构4，所述缓冲机构4包括支撑台41，所述支撑台41的底部与底板1顶部的中部固定连接，所述支撑台41的顶部固定连接有缓冲罐42，所述缓冲罐42内腔的顶部设置有呼吸管43，所述呼吸管43的中部设置有呼吸阀44，所述缓冲罐42内腔的上端固定连接有弹簧45，所述弹簧45的一端固定连接有气囊46，所述气囊46的顶部固定连接有充气管47，所述充气管47的中部设置有充气阀48，所述气囊46的顶部固定连接有温压传感器49，所述缓冲罐42的正面设置有显示板410，所述缓冲罐42内腔的底部固定连接有加热板二411，所述支撑台41内腔的顶部固定连接有电机412，所述电机412转轴的表面固定连接有支杆413，所述支杆413的两端固定连接有刮板414，所述缓冲罐42内腔一侧的下端设置有排液管415。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡顺鼎金属科技有限公司 一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐
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