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申请/专利权人：中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种单晶硅生长炉及其控制方法，单晶硅生长炉包括第一壳体、第二壳体、坩埚组件、加热组件、保温组件、第一驱动机构、晶体提拉机构和保护气连接管，第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，第二壳体罩设于第一壳体外，且与第一壳体之间形成安装腔，坩埚组件设于晶体生长室，加热组件设于安装腔，保温组件设于安装腔且罩设于加热组件外，第一驱动机构设在第一壳体的底部以支撑和驱动第一壳体相对第二壳体转动，晶体提拉机构固设于隔离室内且适于跟随第一壳体同步转动，保护气连接管穿设于隔离室且连通至拉晶室。根据本发明实施例的单晶硅生长炉，可以延长加热组件的使用寿命，且便于简化单晶硅生长炉顶部结构的复杂度。
主权项：1.一种单晶硅生长炉，其特征在于，包括：第一壳体，所述第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，所述拉晶室连通于所述晶体生长室的顶侧，所述隔离室连通于所述拉晶室的顶侧；第二壳体，所述第二壳体罩设于所述第一壳体外，且与所述第一壳体之间形成安装腔；坩埚组件，所述坩埚组件设于所述晶体生长室；加热组件，所述加热组件设于所述安装腔且用于对所述坩埚组件加热；保温组件，所述保温组件设于所述安装腔且罩设于所述加热组件外；第一驱动机构，所述第一驱动机构设在所述第一壳体的底部以支撑和驱动所述第一壳体相对所述第二壳体转动；晶体提拉机构，所述晶体提拉机构固设于所述隔离室内且适于伸入所述拉晶室以用于提拉晶体，所述晶体提拉机构适于跟随所述第一壳体同步转动；保护气连接管，所述保护气连接管穿设于所述隔离室且连通至所述拉晶室，其中，所述第一壳体包括自上向下依次设置的第一上壳、导热壳体和第一下壳，所述导热壳体围绕所述坩埚组件设置且位于所述坩埚组件和所述加热组件之间，所述导热壳体的导热系数大于所述第一上壳和所述第一下壳的导热系数。
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百度查询： 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 中环领先半导体科技股份有限公司 单晶硅生长炉及其控制方法
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