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申请/专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种用于降低多晶硅锭中碳含量的多晶硅铸锭方法，属于多晶硅生产技术领域。包括以下步骤：将硅料放入坩埚中，盖上盖板，将装有硅料的坩埚放入铸锭炉中进行化料；化料结束后，进行长晶工序，其中，长晶工序分为四个长晶阶段，不同长晶阶段对应不同的生长速率；对完成长晶后得到的晶体硅进行退火和冷却，以获得硅锭。本发明通过在不同阶段制定不同的长晶速率，以提高材料排杂能力，将碳化硅杂质聚集到顶部切除，从而降低多晶硅锭中的碳含量，提高多晶硅锭的质量。
主权项：1.一种用于降低多晶硅锭中碳含量的多晶硅铸锭方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅料放入坩埚中，盖上盖板，将装有硅料的坩埚放入铸锭炉中进行化料；S2、化料结束后，进行长晶工序，其中，长晶工序分为四个长晶阶段，不同长晶阶段对应不同的生长速率；S3、对完成所述长晶后得到的晶体硅进行退火和冷却，以获得硅锭。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 用于降低多晶硅锭中碳含量的多晶硅铸锭方法
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