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申请/专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
摘要：本发明涉及一种光电子半导体激光器构件1。光电子半导体激光器构件1包括具有有源区域103的外延半导体层序列10，所述有源区域设计用于产生第一波长范围的第一电磁辐射。光电子半导体激光器构件1还包括形成二维光子晶体的光子半导体层20，并且所述光子半导体层设计用于构成用于第一电磁辐射的谐振器，还包括转换元件30，所述转换元件设计用于将第一电磁辐射转换为第二波长范围的第二电磁辐射。发射方向E横向于外延半导体层序列10的主延伸平面定向。第一电磁辐射从光子半导体层20沿发射方向E射出。第一波长范围处于蓝色或紫外光谱范围内。本发明还涉及一种光电子装置2。
主权项：1.一种光电子半导体激光器构件1，包括-具有有源区域103的外延半导体层序列10，所述有源区域设计用于产生第一波长范围的第一电磁辐射，-光子半导体层20，所述光子半导体层形成二维光子晶体并且所述光子半导体层设计用于构成用于所述第一电磁辐射的谐振器，和-转换元件30，所述转换元件设计用于将所述第一电磁辐射转换为第二波长范围的第二电磁辐射，其中，-在所述谐振器内的所述第一电磁辐射平行于所述外延半导体层序列10的主延伸平面传播，-发射方向E横向于所述外延半导体层序列10的所述主延伸平面定向，-所述第一电磁辐射从所述光子半导体层20沿所述发射方向E射出，并且-所述第一波长范围处于蓝色或紫外光谱范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 光电子半导体激光器构件及光电子装置
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