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申请/专利权人：工研拓芯(苏州)集成电路有限公司

摘要：本发明提供一种带隙基准源高阶温度补偿电路和方法：将具有正温度系数的电压与具有负温度系数的电压叠加，得到一阶带隙基准电压输出；基于一阶带隙基准电压分别建立高温和低温基准电压输出式，通过正温度系数进行补偿负温度系数，得到零温度系数的基准电压。本发明采用RC启动模块不仅结构简单，占用较小的版图面积，且没有额外的静态电流消耗，对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，使最终输出的基准电压具有更优温度系数。

主权项：1.一种带隙基准源高阶温度补偿电路，其特征在于：所述带隙基准源高阶温度补偿电路包括：启动模块，恒流偏置模块，偏置电流平衡模块，偏置电流补偿模块，一阶带隙基准电压产生模块和高阶温度补偿模块；所述恒流偏置模块产生偏置电流，并将所述偏置电流进行分配，得到第一偏置分配电流、第二偏置分配电流和第三偏置分配电流；所述启动模块连接于所述恒流偏置模块，用于供电电源上电时，延长所述偏置电流产生的时间；所述偏置电流平衡模块连接于所述恒流偏置模块，基于所述第一偏置分配电流，产生第一平衡偏置电流和第二平衡偏置电流；所述偏置电流补偿模块连接于所述恒流偏置模块和所述偏置电流平衡模块的输出端，基于所述第二偏置分配电流和所述第三偏置分配电流产生两个电流，分别补偿所述第一平衡偏置电流和所述第二平衡偏置电流，得到第一补偿偏置电流和第二补偿偏置电流；所述一阶带隙基准电压产生模块连接于所述偏置电流补偿模块的输出端，基于所述第一补偿偏置电流和所述第二补偿偏置电流，产生一阶带隙基准电压和具有正温度系数的PTAT电压；所述高阶温度补偿模块连接于所述恒流偏置模块和所述一阶带隙基准电压产生模块的输出端，基于所述PTAT电压产生高阶补偿电压，并与所述一阶带隙基准电压叠加后产生基准电压；其中，所述偏置电流平衡模块包括：第五PMOS管，第六PMOS管，第七PMOS管，第八PMOS管，第九PMOS管，第十PMOS管，第十一PMOS管和第一NMOS管；所述第五PMOS管、所述第六PMOS管和第七PMOS管的源极连接所述第一偏置分配电流；所述第七PMOS管~第十一PMOS管栅极相连接并与所述一阶带隙基准电压连接，所述第七PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的源极连接，所述第八PMOS管的漏极和所述第九PMOS管的源极连接，所述第九PMOS管的漏极和所述第十PMOS管的源极连接，所述第十PMOS管的漏极和所述第十一PMOS管的源极连接；所述第一NMOS管漏极和栅极与所述第十一PMOS管漏极连接，所述第一NMOS管源极与参考地相连；所述第五PMOS管栅极和漏极连接并与所述第六PMOS管栅极连接；所述第五PMOS管漏极输出所述第一平衡偏置电流，所述第六PMOS管漏极输出所述第二平衡偏置电流；所述偏置电流补偿模块包括：第二三极管，第三三极管和第二电容；所述第二三极管的基极和所述第一平衡偏置电流连接，所述第二三极管的发射极和所述第二偏置分配电流连接，所述第二三极管的集电极和所述参考地连接；所述第三三极管的基极通过所述第二电容和所述参考地连接，并与所述第二平衡偏置电流连接，所述第三三极管的发射极与所述第三偏置分配电流连接，所述第三三极管的集电极与所述参考地连接；所述第二三极管的基极和所述第一平衡偏置电流连接后输出第一补偿偏置电流，所述第三三极管的基极和所述第二平衡偏置电流连接后输出第二补偿偏置电流；所述一阶带隙基准电压产生模块包括：第四三极管，第五三极管，第三电阻和第四电阻；所述第四三极管的集电极和所述第五三极管的集电极分别与所述第一补偿偏置电流和所述第二补偿偏置电流连接，所述第五三极管发射极通过所述第四电阻和所述参考地连接，所述第四三极管发射极通过所述第三电阻和所述第五三极管的发射极连接；所述第四三极管的基极和所述第五三极管基极相连接并输出所述一阶带隙基准电压；所述高阶温度补偿模块包括：第六三极管，第七三极管，第五电阻，第六电阻，第七电阻和第三电容；所述第六三极管的基极与所述第三偏置分配电流连接，所述第六三极管的集电极与所述供电电源连接，所述第六三极管的发射极通过第五电阻与所述第七三极管集电极连接；所述第六电阻的一端和所述一阶带隙基准电压连接，另一端和所述第七三极管的集电极连接；所述第七三极管的基极与所述PTAT电压连接，所述第七三极管的发射极通过第七电阻与所述参考地连接；所述第三电容一端与所述参考地连接，另一端与所述第六三极管的发射极连接并作为输出端，输出所述基准电压。

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