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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本发明提供一种碳化硅晶种及其制造方法、及碳化硅晶体的制造方法。碳化硅晶种具有硅面、以及相对硅面的碳面，其中硅面的基面位错密度BPD1与所述碳面的基面错位密度BPD2之间的差异比D满足下述式1：D＝BPD1‑BPD2BPD1≤25％1。
主权项：1.一种碳化硅晶种，特征在于，所述碳化硅晶种具有硅面、以及相对所述硅面的碳面，其中所述硅面的基面位错密度BPD1与所述碳面的基面位错密度BPD2之间的差异比D满足下述式1：D＝BPD1-BPD2BPD1≤25％1，由所述碳化硅晶种成长的碳化硅晶体的贯通螺旋位错TSD密度为35EAcm2以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 碳化硅晶种及碳化硅晶体的制造方法
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