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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，基底包括存储区域，存储区域包括衬底、导电层、以及位于导电层上的第一掩模层；图案化第一掩模层，形成呈第一阵列排布的多个第一点状图案；回填第一掩模层，形成覆盖第一掩模层的第二掩模层；图案化第二掩模层，形成呈第二阵列排布的多个第二点状图案，在沿垂直于衬底的方向上，一个第二点状图案的投影位于相邻的两个第一点状图案之间；以第一点状图案和第二点状图案共同作为掩模图案刻蚀导电层，形成多个相互独立的导电点状图案。本发明能够同时确保存储区域的图案和外围区域的图案的粗糙度满足工艺要求，实现对半导体结构制造良率的提高。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括存储区域，所述存储区域包括衬底、位于所述衬底上的导电层、位于所述导电层上的第一掩模层以及位于所述导电层与所述第一掩模层之间的第三掩模层；图案化所述第一掩模层，形成呈第一阵列排布的多个第一点状图案；回填所述第一掩模层，形成覆盖所述第一掩模层的第二掩模层；图案化所述第二掩模层，形成呈第二阵列排布的多个第二点状图案，在沿垂直于所述衬底的方向上，一个所述第二点状图案的投影位于相邻的两个所述第一点状图案之间；以所述第一点状图案和所述第二点状图案共同作为掩模图案刻蚀所述第三掩模层，形成呈第三阵列排布的多个第三点状图案；形成覆盖所述第三点状图案侧壁的侧墙，相邻所述第三点状图案之间的所述侧墙相互连接；回填所述第三掩模层，形成填充层；去除所述侧墙，形成由所述填充层和残留的所述第三掩模层共同形成的、且呈第四阵列排布的多个第四点状图案；以所述第四点状图案作为掩模图案所述导电层，形成多个相互独立的导电点状图案。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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