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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其隔离结构的制造方法，属于半导体技术领域，该CMOS图像传感器隔离结构的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底表面具有依次层叠的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，且第一硬掩膜层和第二硬掩膜层材质不同；在第二硬掩膜层表面刻蚀出第一沟槽，第一沟槽延伸至衬底中，后继续刻蚀部分的第一沟槽，形成第二沟槽；移除第二硬掩膜层，并在第二沟槽中填充一定深度的多晶硅；继续在第一沟槽和第二沟槽中填充氧化硅，以形成复合沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构。通过纵向贯通像素的复合沟槽隔离结构可降低像素间光串扰问题，可降低隔离区域所占体积，从而增加有效像素体积，减少小像素带来的性能损失。
主权项：1.一种CMOS图像传感器隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面具有依次层叠的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，且所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层材质不同；在所述第二硬掩膜层表面刻蚀出第一沟槽，所述第一沟槽延伸至所述衬底中，后继续刻蚀部分的第一沟槽，形成第二沟槽；移除所述第二硬掩膜层，并在所述第二沟槽中填充一定深度的多晶硅；继续在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充氧化硅，去除顶部多余的氧化硅和所述第一硬掩膜层，以形成复合沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 CMOS图像传感器及其隔离结构的制造方法
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