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一种应用于片上存储器的纠错编码系统及方法 

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申请/专利权人:南京微盟电子有限公司

摘要:本发明涉及一种应用于片上存储器的纠错编码系统及方法,属于芯片技术领域。采用了该发明的应用于片上存储器的纠错编码系统包括编码电路、解码电路、状态机电路和寄存器模块;解码电路包括校正子计算电路、求解错误位置多项式电路和求解错误位置数电路,本发明的方法在应用时,将校验位作为高位,消息作为低位,拼接起来形成解码数据;然后将解码数据从低电平到高电平,按字节输入接口信号,检查确定数据或者校验位中是否存在错误;如果存在错误,确定位错地址并进行纠错。从而能够在数据存储的过程中自动完成纠错编码并存储在特定区域,进而自动完成译码和纠错的过程,输出正确的数据。且可以方便地应用于512B+16B28B4224b4320b的片上存储器。

主权项:1.一种应用于片上存储器的纠错编码系统,其特征在于,包括:相互连接的编码电路ecc_encoder、解码电路ecc_decoder、状态机电路ecc_fsm和寄存器模块ecc_reg;所述的解码电路包括校正子计算电路ecc_syndm、求解错误位置多项式电路ecc_bma和求解错误位置数电路ecc_chien,其中,所述的编码电路用以进行数据编码;所述的解码电路用以进行数据解码;所述的寄存器模块用以存储编码和解密所用数据;所述的状态机电路用以根据不同状态控制所述的编码电路和解码电路;包括:将当前解码的消息长度输入接口信号data_cnt_i;如果纠错位数为8位,将接口信号ecc_opt_i设为低电平;如果纠错位数为15位,将接口信号ecc_opt_i设为高电平;将接口信号dec_we_i设为高电平,将校验位作为高位,消息作为低位,拼接起来形成解码数据;然后将解码数据从低电平到高电平,按字节输入接口信号dec_data_i;等待两个时钟周期,检查信号ecc_error_o是否为高,如果为高表明数据或者校验位中的某些位存在错误;如果为低表明没有错误;如果存在错误,监测信号dec_wr_en_o为高,信号erraddr_o的值即为位错地址;如果ecc_error_o为低或者ecc_correct_fail_o为高,表明纠错结束。

全文数据:

权利要求:

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