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一种含有三个硅氢键的季碳偕二硅基化合物及其合成方法和应用 

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申请/专利权人:浙江大学

摘要:本发明公开了一种含有三个硅氢键的季碳偕二硅化合物,如式V所示,并公开了其制备方法:由炔烃和硅烷为原料,高效率、高区域选择性的合成季碳偕二硅化合物。该方法反应条件温和,操作简便,原子经济性高,无有毒过渡金属如钌、铑、钯等盐类的加入,且反应区域选择性非常高,基本为单一区域选择性。含有三个硅氢键的季碳偕二硅化合物为本发明首次合成,该化合物可以用于合成含硅聚合物A,所合成的聚合物具有非常高的折光率,有望应用于新型光学材料领域。所述硅聚合物A为式B1与式B2连接形成的超支化聚合物。

主权项:1.一种含有三个硅氢键的季碳偕二硅化合物,其特征在于所述化合物如式V所示: 式V中,R1任选自未取代或含有取代基A的以下基团:C6~C20的芳基A、C4~C20的杂环芳基A;所述C6~C20的芳基A为苯基、3’,4’-2-亚甲基-1,3-二氧环-苯基或萘基;所述C4~C20的杂环芳基A为吲哚基、噻吩基、苯并噻吩基、吡啶基或喹啉基;所述取代基A为下列中的一种或两种以上:C1~C6的烷基、C1~C3的烷氧基、C1~C3的烷硫基、卤素或苯基;式V中,R2为苯基或取代苯基,R3为-K1-取代基B、苯基或取代苯基;所述K1为C1~C6的亚烷基,所述取代基B为苯基或取代苯基,所述取代苯基上的取代基为C1~C6的烷基。

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权利要求:

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