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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请提供了一种单晶硅棒及其制备方法和硅片、太阳能电池、光伏组件。单晶硅棒中包括掺杂元素，掺杂元素的饱和固溶度大于或等于5E+19cm‑3，且掺杂元素的掺杂浓度范围为8E+14cm‑3至3E+16cm‑3。制备方法包括如下步骤：对硅原料进行熔化，以得到熔化后的硅液，且在熔化的过程中，保持炉压为初始炉压值；对硅液进行掺杂，且在进行掺杂的同时，将炉压升高至炉压最高值；以及在等径生长阶段，控制炉压由炉压最高值开始下降，直至达到初始炉压值。本申请的单晶硅棒及其制备方法和硅片、太阳能电池、光伏组件，可以使单晶硅棒及其衍生产物的电阻率更加均匀集中。
主权项：1.一种单晶硅棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅原料进行熔化，以得到熔化后的硅液，且在所述熔化的过程中，保持炉压为初始炉压值，并保持氩气流量为初始氩气流量；对所述硅液进行掺杂，且在进行所述掺杂的同时，将所述炉压升高至炉压最高值，并将所述氩气流量降低至氩气流量最小值；以及在等径生长阶段，控制所述炉压由所述炉压最高值开始下降，直至达到所述初始炉压值，并控制所述氩气流量由所述氩气流量最小值开始升高，直至达到所述初始氩气流量，其中，所述制备方法还包括在所述单晶硅棒进入所述等径生长阶段后，所述单晶硅棒每生长500mm，控制炉内温度升高0.3~1；以及当所述等径生长长度大于或等于2000mm时，所述单晶硅棒每生长500mm，控制炉内温度升高0.3~0.5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 单晶硅棒及其制备方法和硅片、太阳能电池、光伏组件
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