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申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
摘要：本发明提供一种逆导型LIGBT器件及其制备方法，该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构及MOS结构，其中，半导体结构包括衬底、介电层及外延层；发射极结构包括基区、发射区及第一接触区；集电极结构包括第一、二缓冲区及集电区，基区与第一缓冲区之外的外延层作为漂移区；栅结构位于基区上表面；MOS结构包括浮空接触区、第二接触区、隔离层及二极管结构，浮空接触区位于外延层上表层，第二接触区位于第二缓冲区上表层，隔离层位于第二接触区与浮空接触区之间的外延层上表面，二极管结构包括位于隔离层上的阴极接触区及阳极接触区。本发明通过MOS结构的设置，避免了集电极电压折回现象，提升了器件的性能。
主权项：1.一种逆导型LIGBT器件，其特征在于，包括：半导体结构，包括依次层叠的衬底、介电层及第一导电类型外延层；发射极结构，包括第二导电类型基区、第一导电类型发射区及第二导电类型第一接触区；集电极结构，包括与所述基区间隔设置的第一导电类型第一缓冲区、位于所述第一缓冲区上表层的第二导电类型第二缓冲区及位于所述第二缓冲区的上表层的第二导电类型集电区，所述基区与所述第一缓冲区之外的所述外延层作为漂移区；栅结构，位于所述发射区与所述漂移区之间的所述基区的显露上表面；MOS结构，包括第一导电类型浮空接触区、第一导电类型第二接触区、隔离层及二极管结构，所述浮空接触区位于所述外延层的上表层且与所述第二缓冲区远离所述基区的侧壁间隔设置，所述第二接触区位于所述第二缓冲区的上表层并与所述集电区远离所述基区的侧壁邻接，所述隔离层位于所述第二接触区与所述浮空接触区之间的所述外延层的上表面，所述二极管结构包括位于所述隔离层的上表面的阴极接触区及阳极接触区；发射极、栅极、集电极及浮空电极，所述发射极分别与所述发射区和所述第一接触区电连接，所述栅极与所述栅结构电连接，所述集电极分别与所述集电区、所述第二接触区及所述阳极接触区电连接，所述浮空电极分别与所述浮空接触区及所述阴极接触区电连接。
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权利要求：
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