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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本公开涉及包括贯通电极的半导体装置。半导体装置可以包括：层叠结构，该层叠结构包括交替层叠的多个层间绝缘层和多个水平线层、穿过多个层间绝缘层和多个水平线层的多个沟道结构以及穿过多个层间绝缘层和多个水平线层并且连接到多个水平线层的第一贯通电极和第二贯通电极。可以提供第一逻辑结构，该第一逻辑结构设置在层叠结构下方并包括连接到第一贯通电极的第一下传输晶体管。另外，可以提供第二逻辑结构，该第二逻辑结构设置在层叠结构上并包括连接到第二贯通电极的第一上传输晶体管。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的多个层间绝缘层和多个水平线层、穿过所述多个层间绝缘层和所述多个水平线层的多个沟道结构、以及穿过所述多个层间绝缘层和所述多个水平线层的第一贯通电极和第二贯通电极，所述第一贯通电极和所述第二贯通电极中的每一个连接至不同的水平线层；第一逻辑结构，所述第一逻辑结构设置在所述层叠结构下方，所述第一逻辑结构包括连接到所述第一贯通电极的第一下传输晶体管；以及第二逻辑结构，所述第二逻辑结构设置在所述层叠结构上，所述第二逻辑结构包括连接到所述第二贯通电极的第一上传输晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括贯通电极的半导体装置
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