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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种IGBT低应力封装结构及制备方法。提供了一种便于释放所受到的热应力或机械应力，避免由此产生的绝缘衬底整体翘曲或断裂以及对芯片和芯片焊料层的作用而导致器件性能的劣化与失效的一种IGBT低应力封装结构及制备方法。包括自下而上依次叠合的基板、绝缘衬底基板和芯片；所述绝缘衬底基板包括依次键合的上金属层、绝缘衬底和下金属层；所述绝缘衬底包括若干绝缘基片，若干所述绝缘基片分别呈正十字形结构，并交错组合。所述绝缘基片的各个边的边长相等。各所述绝缘基片相邻的侧面相互贴合。本发明避免所述应力对芯片和芯片焊料层的作用而导致器件性能的劣化乃至失效，可应用于大尺寸、大功率的IGBT器件或功率模块。
主权项：1.一种IGBT低应力封装结构，包括自下而上依次叠合的基板、绝缘衬底基板和芯片；其特征在于，所述绝缘衬底基板包括依次键合的上金属层、绝缘衬底和下金属层；所述绝缘衬底包括若干绝缘基片，若干所述绝缘基片分别呈正十字形结构，并交错组合；各所述绝缘基片相邻的侧面相互贴合；若干所述绝缘基片的厚度相等；交错组合的若干所述绝缘基片的顶面和底面分别在同一平面内。
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权利要求：
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