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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本发明涉及一种叠层结构的级联氮化镓模块，包括：依次层叠且相对的第一基板、第二基板和双面印刷电路板；第一基板连接有若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片和上桥臂增强型MOSFET芯片；若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片沿对称轴对称分布，且相互并联；上桥臂增强型MOSFET芯片与若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片分别互连；第二基板连接有若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片和上桥臂增强型MOSFET芯片；第一基板若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片与第二基板若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片一一相对设置，且第二基板若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片同样相互并联；下桥臂增强型MOSFET芯片与下桥臂若干耗尽型氮化镓芯片分别互连。该模块任意相邻两层功率回路的电流方向相反，减少了模块内部互连的寄生电感；并联氮化镓芯片之间寄生参数匹配一致，进一步提升了性能。

主权项：1.一种叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，包括：第一基板100、第二基板200和双面印刷电路板300，所述第一基板100、所述双面印刷电路板300和所述第二基板200依次层叠且相对设置；所述第一基板100朝向所述双面印刷电路板300的表面通过焊盘连接有若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片和上桥臂增强型MOSFET芯片110；所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片沿对称轴对称分布，且相互并联；所述上桥臂增强型MOSFET芯片110位于所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片之间，且与所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片分别互连；所述第二基板200朝向所述双面印刷电路板300的表面通过焊盘连接有若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片和下桥臂增强型MOSFET芯片210；所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片与所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片一一相对设置，且相互并联；所述下桥臂增强型MOSFET芯片210与所述上桥臂增强型MOSFET芯片110相对设置，且与所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片分别互连；所述上桥臂增强型MOSFET芯片110与所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片通过所述双面印刷电路板300表面的焊盘实现连接；所述第一基板100中功率回路的电流方向与所述双面印刷电路板300第一表面中功率回路的电流方向相反，所述双面印刷电路板300第一表面中功率回路的电流方向与所述双面印刷电路板300第二表面中功率回路的电流方向相反，所述双面印刷电路板300第二表面中功率回路的电流方向与所述第二基板200中功率回路的电流方向相反，所述第一表面朝向所述第一基板100，所述第二表面朝向所述第二基板200。

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