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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明涉及一种基于铝组分渐变帽层的氮化镓器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及渐变帽层；在AlN插入层、AlGaN势垒层以及渐变帽层两侧、GaN沟道层上方，分别设置有源极和漏极；所述渐变帽层上方设置有栅极；所述渐变帽层为Al组分渐变帽层。本发明采用了从GaN到AlN的渐变帽层结构，通过在GaN和AlN之间引入AlGaN渐变层，逐步改变铝组分比例，不仅解决了AlN层生长中的开裂和晶格失配问题，还显著提高了HEMT器件的击穿电压，为高压应用提供了更可靠的半导体器件。
主权项：1.一种基于铝组分渐变帽层的氮化镓器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及渐变帽层；在AlN插入层、AlGaN势垒层以及渐变帽层两侧、GaN沟道层上方，分别设置有源极和漏极；所述渐变帽层上方设置有栅极；所述渐变帽层为Al组分渐变帽层；所述渐变帽层为AlxGa1-xN渐变帽层，其中x自下而上从0渐变至1；所述渐变帽层自下而上包括GaN帽层、Al0.2Ga0.8N渐变帽层、Al0.4Ga0.6N渐变帽层、Al0.6Ga0.4N渐变帽层、Al0.8Ga0.2N渐变帽层和AlN帽层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种基于铝组分渐变帽层的氮化镓器件
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